在接触这样高纯度物质的各种工作中，不仅要特别认真，而且需要有措施以防止制 剂被污染。稍一琉忽则会导致制剂的纯度明显地下降，例如:若将制剂在玛瑙研钵中进 行研磨，则铜的含量将会从6x10-'%增加到10-l'，即提高了一倍，即使是用最纯的 HNO,或HCL在露天里进行分析(而不是在设有空气净化装置的房间里分析)，那么， 象Ca, Mg, Fe, Ni, Pb等杂质的含最也将会增加一个数量级。这里应当指出，在 物质进行提纯时，除去上面所说的那些常见的杂质是最困难的。因为象钙、镁，铁及其 它类似的杂质的污染源太广泛，象实验室器皿、水、空气、及工作服上的灰尘等等，所 有这些都有可能使微小杂质进入被提纯的制剂中。甚至连实脸者的化装品(粉、口红) 也能使高纯度制剂的质量，由于锌、镁等杂质的污染而有所下降。
在被提纯物质中，杂质的允许量越小，则在分离这些杂质对物质进行提纯时就越复 杂。且遭到污染的可能性也越大，制备极高纯度物质的困难也就在于此。当我们快要除 去最后一点痕迹盘的杂质时，遇到了惊人的事实:物质变得越纯时，它的性质改变也越 大，已知锗的半导体性质只有在杂质的含量小于10-'%情况下才能表现出来。
最低限度已经知道这种事实:当尽盆地将物质干操，即从物质中除去最后被吸附的 痕迹盆的水时，则会导致物质的物理化学常数发生明显的改变。当甲醇经磷酸醉干操九 年后，则发现它的沸点不是66℃，而是120'C。用大家非常熟悉的物质如金属汞也曾进 行过类似的干燥，结果汞的沸点从358℃上升到425C.但只要这种制剂与潮握的空气有 一瞬间接触，便可使它们的沸点又回到原来的普通值。